江汉大学学报(自然科学版) ›› 2019, Vol. 47 ›› Issue (6): 485-492.doi: 10.16389/j.cnki.cn42-1737/n.2019.06.001
赵金卫1,高益敏2,王哲1,罗贤盛1,余国贤*1
ZHAO Jinwei1,GAO Yimin2,WANG Zhe1,LUO Xiansheng1,YU Guoxian*1
摘要: 以累托石为原料,通过镁热还原制备多孔单质硅,然后以葡萄糖为碳源进行热处理覆碳制备Si/C负极材料。采用XRD、BET、SEM、TG分析了镁热还原条件对材料结构的影响,利用电化学工作站和电池充放电测试系统考察了Si/C负极材料的电化学性能。研究表明,累托石镁热还原的多孔硅的孔容、平均孔径、硅含量对Si/C复合材料的电化学性能有重要影响。随着镁热还原过程中金属镁质量的增加,制备的Si/C负极材料的电化学性能先增加后降低,当累托石与金属镁质量比为1∶0. 4时,制备的复合材料电化学性能最佳,在电流密度为0. 1 A/g时,材料首圈比容量最高可达1 120 mAh/g,循环200圈比容量仍能保持555 mAh/g。
中图分类号: