第一性计算锑化镓中的缺陷态

江汉大学学报（自然科学版） ›› 2015, Vol. 43 ›› Issue (3): 226-228.

第一性计算锑化镓中的缺陷态

周一帆，侯群^*，彭馨，张龙

江汉大学物理与信息工程学院，湖北武汉 430056

出版日期:2015-06-28 发布日期:2015-07-02
通讯作者: 侯群
作者简介:周一帆（1988—），女，硕士生，研究方向：材料物理及电磁兼容。

Analysis of Defects of GaSb with the First-Principle Calculation

ZHOU Yifan， HOU Qun^*， PENG Xin， ZHANG Long

School of Physics and Information Engineering，Jianghan University，Wuhan 430056，Hubei，China

Online:2015-06-28 Published:2015-07-02

摘要/Abstract

摘要： 基于密度函数理论和广义梯度近似原理，计算了锑化镓（GaSb）体结构中的不同缺陷的形成能。计算结果表明，无论是在Ga-rich晶体条件下还是Sb-rich晶体条件下，主要的缺陷都是空位缺陷V_Ga和反应缺陷Ga_Sb，这解释了GaSb在不同生长条件下总是P型半导体的原因。

关键词: 第一性计算, 锑化镓, 缺陷态, 形成能

Abstract: Based on the density function theory and the generalized gradient approximation，the formation energies of different defects in the bulk GaSb are calculated. The calculation results show that no matter under the Ga-rich condition or Sb-rich condition，the main defects are V_Ga and Ga_Sb ，which all contribute to P-type semiconductor.

Key words: first-principle calculation, GaSb, defect mode, formation energy

中图分类号:

O471.4

周一帆，侯群，彭馨，张龙. 第一性计算锑化镓中的缺陷态[J]. 江汉大学学报（自然科学版）, 2015, 43(3): 226-228.

ZHOU Yifan， HOU Qun， PENG Xin， ZHANG Long. Analysis of Defects of GaSb with the First-Principle Calculation[J]. Journal of Jianghan University(Natural Science Edition), 2015, 43(3): 226-228.