图形化ZnO纳米杆的生长与表征

江汉大学学报（自然科学版） ›› 2014, Vol. 42 ›› Issue (3): 52-56.

图形化ZnO纳米杆的生长与表征

田玉，涂亚芳，朱小龙^*，陈明月，王强

江汉大学物理与信息工程学院，湖北武汉 430056

出版日期:2014-06-25 发布日期:2014-07-03
通讯作者: 朱小龙
作者简介:田玉（1979—），女，讲师，博士，研究方向：半导体材料与器件。
基金资助:
国家自然科学基金资助项目（11304124）；江汉大学高层次人才科研启动经费项目（2013017，2010014）

Growth and Characterization of Graphical ZnO Nanorods

TIAN Yu，TU Yafang，ZHU Xiaolong^* ，CHEN Mingyue，WANG Qiang

School of Physics and Information Engineering，Jianghan University，Wuhan 430056，Hubei，China

Online:2014-06-25 Published:2014-07-03
Contact: ZHU Xiaolong

摘要/Abstract

摘要： 为了得到具有较好紫外发射特性的ZnO纳米杆阵列，以氢气腐蚀过的GaN薄膜为衬底，在较低的温度（105 °C）下采用水浴法制备图形化ZnO纳米杆阵列。对制备的样品进行结构和形貌表征，并通过对比实验研究氢气腐蚀处理的影响。结果表明，氢气腐蚀过的GaN薄膜衬底，有利于形成致密、均匀、定向排列的ZnO六边形图案，符合螺旋位错驱使的生长机制。

关键词: ZnO 纳米杆, GaN薄膜, 六边形

Abstract: To obtain ZnO nanorod arrays which have good UV emission characteristics，reports a simple and effective method for fabricating and patterning highly ordered ZnO nanorod arrays on H₂-decomposed GaN film，using aqueous solution at low temperatures（105 ℃）. The prepared samples were characterized the microstructure and morphology. The effects of hydrogen corrosion treatment have been studied by comparative experiment. The results show that the H₂-decomposed GaN film substrate is conducive to the formation of a dense，uniform，hexagonal pattern of oriented ZnO，which is consistent with the screw dislocation growth mechanism.

Key words: ZnO nanorod, GaN film, hexagon

中图分类号:

O781

田玉，涂亚芳，朱小龙，陈明月，王强. 图形化ZnO纳米杆的生长与表征[J]. 江汉大学学报（自然科学版）, 2014, 42(3): 52-56.

TIAN Yu，TU Yafang，ZHU Xiaolong ，CHEN Mingyue，WANG Qiang. Growth and Characterization of Graphical ZnO Nanorods[J]. Journal of Jianghan University(Natural Science Edition), 2014, 42(3): 52-56.