江汉大学学报(自然科学版) ›› 2009, Vol. 37 ›› Issue (2): 25-27.

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相变存储材料Ge2Sb2Te5的电子结构研究

张法光   

  1. 武汉理工大学,理学院,武汉,430070
  • 收稿日期:2014-01-14 修回日期:2014-01-14 出版日期:2009-06-25 发布日期:2014-01-14

  • Received:2014-01-14 Revised:2014-01-14 Online:2009-06-25 Published:2014-01-14

摘要: 利用密度泛函理论对稳态六方Ge2Sb2Te5,进行第一性原理计算,得到了其晶格常数、能带结构、电子态密度等相关性质.详细讨论了其成键情况和电子结构对材料晶化率的影响,从电子结构的角度解释了GST稳态与亚稳态之间的转抉机制,对实验掺杂研究给出了理论性的指导.

关键词: Ge2Sb2Te5, 电子结构, 第一性原理