β-FeSi2半导体薄膜的研究进展

江汉大学学报（自然科学版） ›› 2007, Vol. 35 ›› Issue (2): 26-29.

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β-FeSi2半导体薄膜的研究进展

周幼华,童恒明,乔燕等

江汉大学,物理与信息工程学院,武汉,430056;
武汉市东西湖区教育局,武汉,430040

收稿日期:2014-01-14 修回日期:2014-01-14 出版日期:2007-06-25 发布日期:2014-01-14

Received:2014-01-14 Revised:2014-01-14 Online:2007-06-25 Published:2014-01-14

摘要/Abstract

摘要： 综述了半导体β-FeSi2薄膜的制备、薄膜的表征、能带的特点、电学、光学性质等方面的研究进展,讨论了几种用于Si衬底上外延生长β-FeSi2薄膜方法的优缺点,分析了制备高品质β-FeSi2薄膜所存在的理论和技术上的难题,展望了β-FeSi2薄膜作为新光电材料的应用前景.

周幼华,童恒明,乔燕等. β-FeSi2半导体薄膜的研究进展[J]. 江汉大学学报（自然科学版）, 2007, 35(2): 26-29.

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